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Polar TM
Power MOSFET
IXTY2N60P
IXTP2N60P
V DSS
I D25
R DS(on)
= 600V
= 2A
≤ 5.1 Ω
N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated
TO-252 (IXTY)
Fast Intrinsic Rectifier
G
S
D (Tab)
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
V DSS
V DGR
V GSS
V GSM
T J = 25 ° C to 150 ° C
T J = 25 ° C to 150 ° C, R GS = 1M Ω
Continuous
Transient
600
600
± 30
± 40
V
V
V
V
TO-220AB (IXTP)
I D25
I DM
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C, Pulse Width Limited by T JM
2
4
A
A
G
DS
D (Tab)
I A
E AS
dv/dt
P D
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
I S ≤ I DM , V DD ≤ V DSS , T J ≤ 150 ° C
T C = 25 ° C
2
150
10
55
A
mJ
V/ns
W
G = Gate
S = Source
D = Drain
Tab = Drain
T J
T JM
T stg
-55 ... +150
150
-55 ... +150
° C
° C
° C
Features
International Standard Package
T L
T SOLD
M d
Weight
1.6mm (0.062 in.) from Case for 10s
Plastic Body for 10s
Mounting Torque (TO-220)
TO-252
TO-220
300
260
1.13 / 10
0.35
3.00
° C
° C
Nm/lb.in.
g
g
Low R DS(on) and Q G
Avalanche Rated
Low Package Inductance
Fast Intrinsic Rectifier
Advantages
High Power Density
Easy to Mount
Symbol          Test Conditions
(T J = 25 ° C, Unless Otherwise Specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
Space Savings
BV DSS
V GS = 0V, I D = 25 μ A
600
V
Applications
V GS(th)
I GSS
I DSS
V DS = V GS , I D = 250 μ A
V GS = ± 30V, V DS = 0V
V DS = V DSS , V GS = 0V
T J = 125 ° C
3.0
5.0
± 50
1
50
V
nA
μ A
μ A
Switch-Mode and Resonant-Mode
Power Supplies
DC-DC Converters
Laser Drivers
AC and DC Motor Drives
R DS(on)
V GS = 10V, I D = 0.5 ? I D25 , Note 1
5.1
Ω
Robotics and Servo Controls
? 2010 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
DS99422F(09/10)
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JN5139/001,531 MCU 802.15.4 32BIT 2.4G 56-QFN
相关代理商/技术参数
IXTY2N80P 功能描述:MOSFET 2 Amps 800V 6 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTY2R4N50P 功能描述:MOSFET 2.4 Amps 500 V 3.5 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTY32P05T 功能描述:MOSFET TrenchP Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTY3N50P 功能描述:MOSFET 3.6 Amps 500 V 2 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTY3N60P 功能描述:MOSFET 3 Amps 600V 3 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTY44N10T 功能描述:MOSFET 44 Amps 100V 25.0 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTY48P05T 功能描述:MOSFET TrenchP Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTY4N60P 功能描述:MOSFET PolarHV Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube